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『ソフトゴールドプロセス』の代表格。ボンディング性・耐熱性・はんだ付け性に優れパッケージ,リードフレーム,トランジスター,COB基板などの半導体用部品に適しています。
弱酸性タイプの電解金めっき。
安定した析出効率で浴安定性が高く、耐レジスト性が良好です。
3.5(3〜5)
約3.2(0.5A/dm2にて)
50〜80
4.7(4.5〜5.0)
『ハードゴールドプロセス』の代表格。析出物は鏡面光沢を示し、電気特性・耐磨耗性・耐蝕性・はんだ付け性にも優れています。コネクタ・接点・プリント配線基板など電子部品に適しています。
従来のAu/Coプロセスでは得られなかった析出速度と広い光沢範囲を実現。低金濃度によるコストの低減と高速めっきによる高い生産性を持合せます。
GVC-L
4(3〜5)
0.4(0.2〜0.75)
約4(4A/dm2にて)
120〜190
4.2(4.0〜4.4)