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ケミカル製品（金属・めっきタイプ）
ベースメタル
ミクロファブCu
ウェハー上のパターン形成、バンプ形成に適した硫酸銅めっき液。
均一電着性に優れ、良好な膜厚分布が得られます。
Cu300（微細パターン厚付けタイプ）
高速めっき。コネクタ、プリント配線基板などの電子部品、また装飾プロセスにも対応します。
- 金属Cu（g/L）
25（20〜30）
- 析出速度（min/μm）
1.5（3A/dm2にて）
- 温度（℃）
25（20〜30）
Cu520（ビアフィリング）
高いアスペクト比で良好な埋め込み性を発揮します。
- 金属Cu（g/L）
50（40〜60）
- 析出速度（min/μm）
4.5（1A/dm2にて）
- 温度（℃）
25（25〜30）
ミクロファブNi
ウェハー上の微細パターン、バンプ形成などの下地めっきに適しています。
Ni200（バンプ形成下地めっき）
半光沢外観でボイドの少ない析出物です。
- 金属Ni（g/L）
75（70〜80）
- 析出速度（min/μm）
1.6（3A/dm2にて）
- 温度（℃）
55（50〜60）
- ｐＨ
4.0（3.5〜4.5）