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ケミカル製品（用途分類）
半導体部品 [セラミック基板][リードフレーム][TCP/FPC/COF]
テンペレックスシリーズ
ボンディング性・耐熱性・はんだ付け性に優れパッケージ，リードフレーム，トランジスター，COB基板などの半導体用部品に適しています。
MLA100（Au低濃度タイプ）
低Au濃度でも、変わらない皮膜外観・性能のためイニシャルコストを下げることができます。
従来製品に比べ高いつきまわり性を発揮します。
- 金属金（g/L）
3.5（3〜5）
- 析出速度（min/μm）
約3.2（0.5A/dm2にて）
- 硬度（ヌープ）
50〜80
- ｐＨ
4.7（4.5〜5.0）
レクトロレスシリーズ
半導体部品用に幅広くご利用いただいている無電解めっきプロセス。ワイヤーボンディング性に優れています。
PKG向けNi/Pd/Auプロセス
RoHS指令による「Pbフリーはんだ」に適したEEJA推奨プロセス。
実装によってことなるめっき特性の要求に応え、薄膜でありながらチップ側・基板側それぞれの特性をバランスよく高めました。
従来工程を流用しながら、大幅なコストの削減（当社製品比でのコスト減は70％）を実現します。
NP7600（PKG向けNi/Pd/Auプロセス）
中リンタイプ。耐食性に優れた均一のニッケル/P合金の析出物です。
- 金属Ni（g/L）
-
4.8（4.4〜5.2）
- リン含有量（％）
-
約8
- 析出速度（μm/hr）
12〜20
- ｐＨ
4.6（4.5〜4.7）
Pd1000S（PKG向けNi/Pd/Auプロセス）
無電解金めっき液の代替、下地めっきとして最適なパラジウムめっき液です。
- 金属Pd（g/L）
0.6（0.4〜0.8）
- 析出速度（μm/hr）
0.5〜0.9
- ｐＨ
8.0（7.5〜8.5）
Au1200（PKG向けNi/Pd/Auプロセス）
無電解Ni/Bめっき上にも高い密着性、はんだヌレ性を発揮します。
- 金属金（g/L）
2（1.5〜2.5）
- 時間（min）
5（3〜20）
- ｐＨ
4.7（4.2〜5.2）
FX5（厚付けタイプ置換金めっき）
密着性に優れた皮膜が得られると同時に、従来得られなかった0.3〜0.5umまでの膜厚を安定的に得ることができます。
- 金属金（g/L）
2.0（1.0〜3.0）
- 析出速度（μm/20min）
0.3〜0.5（Ni上）
- ｐＨ
5.0（4.7〜5.3）
パラデックス
低応力で優れたはんだ付け性、安定性があります。
110
高速めっき。コネクタ、プリント配線基板などの電子部品、また装飾プロセスにも対応します。
- 金属Pd（g/L）
25（20〜30）
- 析出速度（sec/μm）
約6（50A/dm2にて）（高速）
- 硬度（ヌープ）
210〜260
- ｐＨ
8.3（7.5〜8.8）
LF
PdPPF向けに良好な析出物を維持しながらPd含有量を抑えたプロセスです。
- 金属Pd（g/L）
3（2〜5）
- 析出速度（min/μm）
約7.8（0.5A/dm2にて）
- 硬度（ヌープ）
210〜260
- ｐＨ
8.8（8.3〜9.3）
プレシャスファブIG
電解・無電解ニッケル上に適用されるノンシアン系無電解金めっきです。
IG7901
無電解Ni皮膜上に0.1〜0.3μmの金めっきを析出させます。
- 金属金（g/L）
5（4〜6）
- 時間（min）
5〜30
- ｐＨ
8.0（7.5〜8.5）