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ケミカル製品(用途分類)

ウェハー

ミクロファブAuシリーズ

ウェハープロセスでのスタンダードなノンシアン金めっき液。
バンプ、微細パターン形成に優れた特性を発揮します。

Au1101(バンプ形成用)

従来品にないシャープな析出物形状で中硬度の特性をもちます。

Au1101(バンプ形成用)

従来製品

金属金(g/L)

10(8〜12)

析出速度(min/μm)

約3.2(0.5A/dm2にて)

硬度(ビッカース)

80〜110

pH

8.0(7.6〜8.2)

Au660(バンプ形成用)

高速で、液ライフの長いタイプです。

金属金(g/L)

16(14〜18)

析出速度(min/μm)

約2(0.8A/dm2にて)

硬度(ビッカース)

100〜130

pH

8.0(7.8〜8.2)

Au660(バンプ形成用)
Au310(ファインパターン形成用)

光沢外観で均一電着性に優れた弱アルカリ性プロセス。
コネクタ、基板、装飾にも適用されます。

Au1101(バンプ形成用)
金属金(g/L)

10(8〜12)

析出速度(min/μm)

約4(0.4A/dm2にて)

硬度(ビッカース)

120〜190

pH

8.0(7.7〜8.3)

ミクロファブCu

ウェハー上のパターン形成に適した硫酸銅めっき液。
均一電着性に優れ、良好な膜厚分布が得られます。

Cu300(微細パターン厚付けタイプ)
金属Cu(g/L)

25(20〜30)

析出速度(min/μm)

1.5(3A/dm2にて)

温度(℃)

25(20〜30)

ミクロファブCu520(ビアフィリング)

高いアスペクト比で良好な埋め込み性を発揮します。

金属Cu(g/L)

50(40〜60)

析出速度(min/μm)

4.5(1A/dm2にて)

温度(℃)

25(25〜30)

ミクロファブCu520(ビアフィリング)

*EEJAめっき装置アリータでのビアフィリング例

ミクロファブNi

ウェハー上の微細パターン、バンプ形成などの下地めっきに適しています。

Ni200(微細パターン厚付けタイプ)

半光沢外観でボイドの少ない析出物です。

金属Ni(g/L)

75(70〜80)

析出速度(min/μm)

1.6(3A/dm2にて)

温度(℃)

55(50〜60)

pH

4.0(3.5〜4.5)

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