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ウェハープロセスでのスタンダードなノンシアン金めっき液。
バンプ、微細パターン形成に優れた特性を発揮します。
従来品にないシャープな析出物形状で中硬度の特性をもちます。
従来製品
10(8〜12)
約3.2(0.5A/dm2にて)
80〜110
8.0(7.6〜8.2)
高速で、液ライフの長いタイプです。
16(14〜18)
約2(0.8A/dm2にて)
100〜130
8.0(7.8〜8.2)
光沢外観で均一電着性に優れた弱アルカリ性プロセス。
コネクタ、基板、装飾にも適用されます。
10(8〜12)
約4(0.4A/dm2にて)
120〜190
8.0(7.7〜8.3)
ウェハー上のパターン形成に適した硫酸銅めっき液。
均一電着性に優れ、良好な膜厚分布が得られます。
25(20〜30)
1.5(3A/dm2にて)
25(20〜30)
高いアスペクト比で良好な埋め込み性を発揮します。
50(40〜60)
4.5(1A/dm2にて)
25(25〜30)
*EEJAめっき装置アリータでのビアフィリング例
ウェハー上の微細パターン、バンプ形成などの下地めっきに適しています。
半光沢外観でボイドの少ない析出物です。
75(70〜80)
1.6(3A/dm2にて)
55(50〜60)
4.0(3.5〜4.5)