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析出物は鏡面光沢を示し、電気特性・耐磨耗性・耐蝕性・はんだ付け性にも優れています。
コネクタ・接点など電子部品に適しています。
従来のAu/Coプロセスでは得られなかった析出速度と広い光沢範囲を実現。低金濃度によるコストの低減と高速めっきによる高い生産性を持合せます。
2(1〜4)
0.3(0.2〜0.4)
約4(2A/dm2にて)
120〜240
4.2(4.0〜4.4)
高い析出速度によって短時間でのめっきが可能です。
8〜18
0.6〜1.0
約8(60A/dm2にて)
120〜190
4.4(4.2〜4.6)
低電流密度での析出が抑制されるため、高いエリア精度が得られます。
8(6〜10)
0.75(0.6〜1.0)
約8(50A/dm2にて)
150〜200
4.4(4.2〜4.6)
低応力で優れたはんだ付け性、安定性があります。
高速めっき。コネクタ、プリント配線基板などの電子部品、また装飾プロセスにも対応します。
25(20〜30)
約6(50A/dm2にて)(高速)
210〜260
8.3(7.5〜8.8)
Pd-PPF向けに良好な析出物を維持しながらPd含有量を抑えたプロセスです。
3(2〜5)
約7.8(0.5A/dm2にて)
210〜260
8.8(8.3〜9.3)